Автор Тема: Конец теории электронно-дырочной проводимости.  (Прочитано 353 раз)

0 Пользователей и 1 Гость просматривают эту тему.

Онлайн radio.elektronik

  • Moderator
  • Эксперт
  • *****
  • Сообщений: 1 350
  • Репутация: +15/-2
  • Пол: Мужской
  • Пургаторий – это свалка роботов и идей.
Введение.

Ранее считалось, что внутри диода находятся какие-то "дырки". Термин этот сформировался в последнее время. Раньше произносить его не решались, и говорили об ионах внутри полупроводникового вещества.
Итак, дырки - это некие вакансии, некое отсутствие электрона, которое, тем не менее вдруг почему-то начинает играть роль положительного заряда. Да и зачем нужны дополнительные положительные заряды в веществе, когда их и так много в кристаллической решётке?

Технологии движутся вперёд теории.

Трое американцев методом тыка создали биполярный транзистор. Это транзистор был P-N-P - типа. А это значит, что он открывался при подаче отрицательного напряжения на вход. Отрицательное напряжение (или ток), увеличивающее выходной ток прибора никак не стыковалось с уже известным образцом усилителя - электро-вакуумной лампой. У электро-вакуумной лампы триода просто не было альтернативы - только положительное напряжение на входе (на управляющей сетке) открывало лампу, и только отрицательное - закрывало.
Чтобы технологии не двигались вперёд теории, а именно - открытие биполярного транзистора методом тыка, нужно было срочно эту теорию создать. И теоретик Уильям Брэдфорд Шокли - один из тройки изобретателей биполярного транзистора - быстро, на скорую руку создал теорию, которую в дальнейшем назвали "теория электронно-дырочной проводимости". В этой теории (заведомо ложной) говорилось, что проводимость полупроводников может быть не только обычной - электронной, но и необычной - дырочной. Что представляет из себя "дырка"? Это отсутствие электрона. И если электроны (в дырочном веществе) двигались в одну сторону, дырки им в такт двигались навстречу. Поясняли так: если в переполненном кинотеатре есть свободное место, то зритель пересаживался вперёд, а свободное место двигалось назад.
Эта теория нарушала логику. Появившаяся ниоткуда лже-частица "дырка" начала своё гордое шествие по страницам учебников и популярной литературы. Это было величайшим достижением прогресса и величайшим заблуждением одновременно. Альтернативщик Шокли сумел навязать научному миру ложную теорию, только за одну цену: научный мир не мог объяснить работу биполярного транзистора. Что же сделал Уильям Брэдфорд Шокли?
1. Объяснил одностороннюю проводимость (ОП) полупроводникового диода,посредством теории ЭДП.
2. Объяснил работу биполярного транзистора, посредством теории ЭДП.
3. Вывел уравнение вольт-амперной характеристики для полупроводникового диода, посредством теории ЭДП.
Но вывод уравнения явно был сделан посредством простой подгонки. Изначально зона P уже обладала экспоненциальной концентрацией дырок. И изначально зона N уже обладала экспоненциальной концентрацией электронов. А дальше - ничего не надо делать - надо было легализовать эту концентрацию в виде экспоненциального тока. Этот вывод был похож на подгонку под ответ. Обычно так делают двоечники, не способные решить домашнее задание. Но мировая научная общественность не стала проверять на прочность эту теорию. Что же в уравнении Шокли не так? Там много необычных просчётов.
1. Температура в уравнении Шокли не играет роли. А играет роль - сильно зависимый от температуры коэффициент Is.
2. Размерность уравнению тоже задаёт коэффициент Is.
3. Наконец внутри уравнения есть сомнительный коэффициент - постоянная Больцмана.
Вообще, если честно, то на свалку истории следует выбросить не только теорию ЭДП, но и многие другие разделы физики. Как пример тому, надо рассмотреть термодинамику, в недрах которой родилась сомнительная постоянная Больцмана.

Где искать правильное решение задачи?


Правильное решение задачи о создании теории работы полупроводникового диода и биполярного транзистора следует искать опытным путём. Есть несколько явлений, оставшихся в тени, в виду крайней неприязни учёных и инженеров к температуре. Температуру в полупроводниковых приборах считают нежелательной особой, и изгоняют со страниц учебников. Считается, что тепло мешает работе полупроводниковых приборов, и с ним следует бороться.
Но, как мы увидим, полупроводниковый диод является сложной (много-компонентной) термопарой или ТЭУ - термоэлектрическим устройством, а значит, тепло просто необходимо для изучения процессов этого устройства.
У полупроводникового диода есть
1. Над-экспоненциальные характеристики.
2. Под-экспоненциальные характеристики.
3. Генерация ЭДС в особых условиях. Можно рассмотреть инжекционные источники питания.
4. При изучении зависимости от температуры иногда наблюдают пересечение вольт-амперных характеристик.
5. Температурная шкала. Её можно обнаружить, изучая вольт-амперные характеристики (ВАХ) диода в зависимости от температуры.
Наконец, мы можем снять вольт-амперную характеристику термопары и тоже обнаружить температурную шкалу.
При сравнении ВАХ термопары и ВАХ полупроводникового диода, приходим к выводу, что у них есть много общего. Таким образом можно исправить ошибку в физике, и освободить науку от теории ЭДП, созданную на основе ошибочных предположений.
Конец теории электронно-дырочной проводимости.
« Последнее редактирование: Октября 2, 2017, 18:15 от radio.elektronik »

Оффлайн Arkadiy

  • Эксперт
  • *****
  • Сообщений: 9 593
  • Репутация: +37/-11
Вы так и не поняли, что все дело  в КРИСТАЛЛОГРАФИИ! А дырки -условное название дефектов кристаллической структуры полупроводника!

Онлайн radio.elektronik

  • Moderator
  • Эксперт
  • *****
  • Сообщений: 1 350
  • Репутация: +15/-2
  • Пол: Мужской
  • Пургаторий – это свалка роботов и идей.
Вы так и не поняли, что все дело  в КРИСТАЛЛОГРАФИИ! А дырки -условное название дефектов кристаллической структуры полупроводника!
Но Вы работу посмотрели? Мои опыты? С какими материалами я работаю? Висмут - он тоже кристаллический...

Оффлайн Arkadiy

  • Эксперт
  • *****
  • Сообщений: 9 593
  • Репутация: +37/-11
Но Вы работу посмотрели? Мои опыты? С какими материалами я работаю? Висмут - он тоже кристаллический...
Висмут-то причем, Вы занимались кристаллографией висмута исследовали его состав, определяли все содержащиеся в нем примеси? Кристаллы они все разные и примеси на них влияют тоже по-разному. Висмут -типичный проводник, и ему не нужна проводимость, создаваемая примесями. Даже если такая и будет, то вклад ее в электропроводность будет невелик. К тому же НИКТО не изучал висмут на предмет электронно-дырочной проводимости, возможно полупроводником будет не висмут, а борид висмута Bi3B5, в котором дисбаланс Бора и Висмута будет определять тип проводимости.
(Кстати у Бора есть собственная дырка, притом сразу две, даже не в кристалле, а в самом атоме - это свободная р-орбиталь, с помощью которой  Бор делает различные химические фокусы, захватывая ею неподеленые электронные пары различных соединений кислорода и азота. Наиболее известное из них  комплекс эфират трехфтористого бора, где бор захватываетсвоей дыркой пару электронов у эфира, в результате из газа  BF3 и легкокипящей жидкости диэтилового эфира, образуется жидкость с температурой киипения выше 100 градусов. Вот такая сила у дырки в Боре.)
Ведь от германия практически ушли потому, что его собственная электропроводность была слишком высокой, что определяла высокий обратный ток германиевых полупроводников. Вспомните диоды Д305 - у них обратное сопротивление при измерении омметром было всего несколько килоом.  Зоны с разной проводимостью формируют барьерный слой =- p-n -переход - он основа электроники.

Онлайн radio.elektronik

  • Moderator
  • Эксперт
  • *****
  • Сообщений: 1 350
  • Репутация: +15/-2
  • Пол: Мужской
  • Пургаторий – это свалка роботов и идей.
Висмут-то причем, Вы занимались кристаллографией висмута исследовали его состав, определяли все содержащиеся в нем примеси? Кристаллы они все разные и примеси на них влияют тоже по-разному. Висмут -типичный проводник, и ему не нужна проводимость, создаваемая примесями. Даже если такая и будет, то вклад ее в электропроводность будет невелик. К тому же НИКТО не изучал висмут на предмет электронно-дырочной проводимости, возможно полупроводником будет не висмут, а борид висмута Bi3B5, в котором дисбаланс Бора и Висмута будет определять тип проводимости.
(Кстати у Бора есть собственная дырка, притом сразу две, даже не в кристалле, а в самом атоме - это свободная р-орбиталь, с помощью которой  Бор делает различные химические фокусы, захватывая ею неподеленые электронные пары различных соединений кислорода и азота. Наиболее известное из них  комплекс эфират трехфтористого бора, где бор захватываетсвоей дыркой пару электронов у эфира, в результате из газа  BF3 и легкокипящей жидкости диэтилового эфира, образуется жидкость с температурой киипения выше 100 градусов. Вот такая сила у дырки в Боре.)
Ведь от германия практически ушли потому, что его собственная электропроводность была слишком высокой, что определяла высокий обратный ток германиевых полупроводников. Вспомните диоды Д305 - у них обратное сопротивление при измерении омметром было всего несколько килоом.  Зоны с разной проводимостью формируют барьерный слой =- p-n -переход - он основа электроники.
И как мы будем опровергать теорию дырочной проводимости и строить теорию термо-электричества?

Оффлайн Arkadiy

  • Эксперт
  • *****
  • Сообщений: 9 593
  • Репутация: +37/-11
И как мы будем опровергать теорию дырочной проводимости и строить теорию термо-электричества?
Не знаю, как вы будете опровергать. Сначала разберитесь со "Строением вещества", строением атомов, электронными оболочками, свойствами атомов, кристаллографией. У вас знания весьма ограничены...

Онлайн radio.elektronik

  • Moderator
  • Эксперт
  • *****
  • Сообщений: 1 350
  • Репутация: +15/-2
  • Пол: Мужской
  • Пургаторий – это свалка роботов и идей.
Не знаю, как вы будете опровергать. Сначала разберитесь со "Строением вещества", строением атомов, электронными оболочками, свойствами атомов, кристаллографией. У вас знания весьма ограничены...
Когда Георг Ом создавал закон Ома он игнорировал  (не знал) всё Вами перечисленное.
Я проделал работу по термо-парам. И там знания на уровне закона Ома. Без вопросов строения вещества.
Разница между термо-тетродами  и п/п диодами  есть, но есть и общее.
Общее - ВАХ имеет вид пучка.
Разница - ВАХ пучка у п/п диодов переходит в экспоненты и потому не создаёт температурную шкалу (термо-ЭДС). Физическое явление: у п/п диодов запрет обратного тока: электроны не могут забрать тепло у кристаллической решётки, и потому не могут пройти PN - переход.

Оффлайн Arkadiy

  • Эксперт
  • *****
  • Сообщений: 9 593
  • Репутация: +37/-11
Когда Георг Ом создавал закон Ома он игнорировал  (не знал) всё Вами перечисленное.
Я проделал работу по термо-парам. И там знания на уровне закона Ома. Без вопросов строения вещества.
Разница между термо-тетродами  и п/п диодами  есть, но есть и общее.
Общее - ВАХ имеет вид пучка.
Разница - ВАХ пучка у п/п диодов переходит в экспоненты и потому не создаёт температурную шкалу (термо-ЭДС). Физическое явление: у п/п диодов запрет обратного тока: электроны не могут забрать тепло у кристаллической решётки, и потому не могут пройти PN - переход.
Для полупроводникового прибора наиболее важна  возможность управления электрическим током, а не генерация ЭДС. Зависимость электрических параметров полупроводникового прибора от температуры - это вредное, паразитное свойство, ограничивающее режимы эксплуатации полупроводникового прибора.
термо-эдс -мизерная и паразитная, в общем случае, она не нужна, в частном, диод можно использовать, как термодатчик
 PN - переход - изолятор, так как является стыком двух областей проводимости при приложении обратного напряжения.

Онлайн radio.elektronik

  • Moderator
  • Эксперт
  • *****
  • Сообщений: 1 350
  • Репутация: +15/-2
  • Пол: Мужской
  • Пургаторий – это свалка роботов и идей.
Для полупроводникового прибора наиболее важна  возможность управления электрическим током, а не генерация ЭДС. Зависимость электрических параметров полупроводникового прибора от температуры - это вредное, паразитное свойство, ограничивающее режимы эксплуатации полупроводникового прибора.
термо-эдс -мизерная и паразитная, в общем случае, она не нужна, в частном, диод можно использовать, как термодатчик
 PN - переход - изолятор, так как является стыком двух областей проводимости при приложении обратного напряжения.
Отлично. Уже видно сдвиг в лучшую сторону. Это отказ от объяснения явления с помощью теории ЭДП.
Рассмотрим Ваши утверждения.
1. Для полупроводникового прибора наиболее важна  возможность управления электрическим током, а не генерация ЭДС.
Факт остаётся фактом: биполярные транзисторы генерируют порядочную термо-ЭДС. И это  мешает (или не мешает) использовать их в качестве усилителя.
Между тем, описание этой термо-ЭДС может помочь инженерам-спецам конструировать усилители и прочие схемы на биполярных транзисторах.
2.Зависимость электрических параметров полупроводникового прибора от температуры - это вредное, паразитное свойство, ограничивающее режимы эксплуатации полупроводникового прибора.
Но если Вы хотите изучить эту зависимость с точки зрения физики, то явление не вредное... А просто явление, требующеее изучения.
И температура бывает разная. Температура окружающей среды работы прибора. И температура, которая создаётся самим прибором (по закону Фурье) в одном из режимов. То есть, это надо учитывать при проведении опытов. А если нужно уравнять эти две температуры, то нужно увеличить теплоёмкость и теплопередачу среды, и установить прибор на радиатор.
3. термо-эдс -мизерная и паразитная, в общем случае, она не нужна, в частном, диод можно использовать, как термодатчик
 PN - переход - изолятор, так как является стыком двух областей проводимости при приложении обратного напряжения.
Диод не может давать термо-ЭДС из-за изгиба характеристик. То есть вначале (при больших токах) ВАХ имеет вид пучка. А потом, при подходе к оси абсцисс, этот пучёк преобразуется и не может создать температурную шкалу. Этот научный факт говорит о  том, что  п/п диод - это термопара с необычными (асимметричными) условиями по отношению к прямому и обратному току.
PN - переход - изолятор,..
Диод переходит в режим изолятора, по причинам баланса закона сохранения уровней энергий.
Чтобы электрону пройти PN переход в режиме обратного тока - он должен забрать кусочек тепловой энергии "тепло Пельтье". Но эта функция у диода запрещена. Потому возникает явление ОП (односторонней проводимости) диода.
Такое объяснение мы даём с точки зрения теории термо-электричества. А теория дырок никуда не годится. Она многое не объясняет. Она является ложной.
 

Оффлайн Arkadiy

  • Эксперт
  • *****
  • Сообщений: 9 593
  • Репутация: +37/-11
Отлично. Уже видно сдвиг в лучшую сторону. Это отказ от объяснения явления с помощью теории ЭДП.
Рассмотрим Ваши утверждения.
Ошибаетесь, мы никуда не уйдем от электронно-дырочной теории. Использование полупроводников с разным типом проводимости позволяет создавать полупроводниковые приборы

1. Для полупроводникового прибора наиболее важна  возможность управления электрическим током, а не генерация ЭДС.
Факт остаётся фактом: биполярные транзисторы генерируют порядочную термо-ЭДС. И это  мешает (или не мешает) использовать их в качестве усилителя.
Между тем, описание этой термо-ЭДС может помочь инженерам-спецам конструировать усилители и прочие схемы на биполярных транзисторах.
Сколько составляет напряжение этой самой термо-эдс - милливольты, а мощность ее микроватты, и то это скорее для мощных приборов, с рассеиваемой мощностью в десятки ватт и более. Так что эффект есть, но им можно пренебречь.
2.Зависимость электрических параметров полупроводникового прибора от температуры - это вредное, паразитное свойство, ограничивающее режимы эксплуатации полупроводникового прибора.
Но если Вы хотите изучить эту зависимость с точки зрения физики, то явление не вредное... А просто явление, требующеее изучения.
И температура бывает разная. Температура окружающей среды работы прибора. И температура, которая создаётся самим прибором (по закону Фурье) в одном из режимов. То есть, это надо учитывать при проведении опытов. А если нужно уравнять эти две температуры, то нужно увеличить теплоёмкость и теплопередачу среды, и установить прибор на радиатор.
Изучать можно, но только все это есть в документации на конкретный тип полупроводникового прибора, Ну а температура важная для его работы -это температура кристалла, на все остальные температуры можно не обращать внимания. КАК вы с ней будете бороться, поставите радиатор или опустите прибор в стакан с водой ( и так приходилось охлаждать транзисторы) - это ваше дело.


3. термо-эдс -мизерная и паразитная, в общем случае, она не нужна, в частном, диод можно использовать, как термодатчик
 PN - переход - изолятор, так как является стыком двух областей проводимости при приложении обратного напряжения.
Диод не может давать термо-ЭДС из-за изгиба характеристик. То есть вначале (при больших токах) ВАХ имеет вид пучка. А потом, при подходе к оси абсцисс, этот пучёк преобразуется и не может создать температурную шкалу. Этот научный факт говорит о  том, что  п/п диод - это термопара с необычными (асимметричными) условиями по отношению к прямому и обратному току.
PN - переход - изолятор,..
Диод переходит в режим изолятора, по причинам баланса закона сохранения уровней энергий.
Чтобы электрону пройти PN переход в режиме обратного тока - он должен забрать кусочек тепловой энергии "тепло Пельтье". Но эта функция у диода запрещена. Потому возникает явление ОП (односторонней проводимости) диода.
Такое объяснение мы даём с точки зрения теории термо-электричества. А теория дырок никуда не годится. Она многое не объясняет. Она является ложной.
Диод работает в двух режимах, если ток переменный, или в одном, если ток постоянный. Эти режимы зависят от полярности приложенного потенциала и величины напряжения, так как и в прямом направлении у диода есть пороговое напряжение, ниже которого он  не проводит  ток -закрыт.  Диод переходит в закрытое состояние, если  к нему приложено обратное напряжение, в этом случае носители тока смещаются в сторону противоположных полюсов источник ка питания, при этом физическая ширина  изолирующего слоя перехода увеличивается и  носители заряда уже не могут преодолеть создавшийся барьер. Они его преодолеют, когда напряжение превысит предельно допустимое и наступит электрический пробой -обратимый, как в стабилитронах или лавинных диодах, или необратимый и выводящий прибор из строя.

Термоэлектричество - это другой уровень, он или не пересекается с переключающими свойствами полупроводниковых приборов или по -маленькому им гадит. Это ПРО РАЗНОЕ!  Электроны и дырки - это одна колода, термоэлектричество -другая

Онлайн radio.elektronik

  • Moderator
  • Эксперт
  • *****
  • Сообщений: 1 350
  • Репутация: +15/-2
  • Пол: Мужской
  • Пургаторий – это свалка роботов и идей.
Ошибаетесь, мы никуда не уйдем от электронно-дырочной теории.


  Электроны и дырки - это одна колода, термоэлектричество -другая
Вам ничего невозможно доказать. Начнём сначала.
1. Если у двух устройств подобная структура: термо-тетрод   и п/п диод - это их логически сближает?
2. Если у двух устройств (термо-тетрод   и п/п диод) есть похожий (аналогичный) участок ВАХ с пучком прямых (в области ВАХ прямого тока) -   это их логически сближает?
3. Если у двух устройств (термо-тетрод   и п/п диод) есть инвертированная температурная шкала - это их логически сближает?
1. А что осталось в защиту ЭДП? Мифические дырки, которых никто не видел?
2. Уравнеие Шокли - которое тупо описывает экспоненту? Но как мы видели - экспонента - это всего лишь переходной участок.
3. Глупые объяснения работы диода и транзистора.
Хотя работа диода объясняется элементарным отсутствие холодильного эффекта Пельтье - тут как раз загадку надо искать в химии и в строении вещества!
А работа транзистора легко объясняется существование направленного источника тепла - от одного PN-перехода (спая термопары)  к другому.
А Вы только повторяете учебник, и не хотите думать. (Кстати, релятивисты все такие. Хотя мы работаем в другом разделе физики. Включите логику!)

Оффлайн Arkadiy

  • Эксперт
  • *****
  • Сообщений: 9 593
  • Репутация: +37/-11
Вам ничего невозможно доказать. Начнём сначала.
1. Если у двух устройств подобная структура: термо-тетрод   и п/п диод - это их логически сближает?
2. Если у двух устройств (термо-тетрод   и п/п диод) есть похожий (аналогичный) участок ВАХ с пучком прямых (в области ВАХ прямого тока) -   это их логически сближает?
3. Если у двух устройств (термо-тетрод   и п/п диод) есть инвертированная температурная шкала - это их логически сближает?
1. А что осталось в защиту ЭДП? Мифические дырки, которых никто не видел?
2. Уравнеие Шокли - которое тупо описывает экспоненту? Но как мы видели - экспонента - это всего лишь переходной участок.
3. Глупые объяснения работы диода и транзистора.
Хотя работа диода объясняется элементарным отсутствие холодильного эффекта Пельтье - тут как раз загадку надо искать в химии и в строении вещества!
А работа транзистора легко объясняется существование направленного источника тепла - от одного PN-перехода (спая термопары)  к другому.
А Вы только повторяете учебник, и не хотите думать. (Кстати, релятивисты все такие. Хотя мы работаем в другом разделе физики. Включите логику!)
Мы свами думаем по -разному, для вас дырки -миф, для меня объект кристаллической структуры. Свободные электроны в кремнии -это тоже результат дефекта кристаллической структуры. При чем здесь релятивисты? Я химик, для меня структура вещества -открытая книга, для вас же тайна за семью печатями.
 Ваши термопары - это милливольты, транзисторы и диоды работают с напряжениями в тысячи вольт и токами в сотни ампер. Ключ на основе ваших термопар невозможен.
Элемент Пельтье - это пассивный элемент, как резистор

Онлайн radio.elektronik

  • Moderator
  • Эксперт
  • *****
  • Сообщений: 1 350
  • Репутация: +15/-2
  • Пол: Мужской
  • Пургаторий – это свалка роботов и идей.
Мы свами думаем по -разному, для вас дырки -миф, для меня объект кристаллической структуры. Свободные электроны в кремнии -это тоже результат дефекта кристаллической структуры. При чем здесь релятивисты? Я химик, для меня структура вещества -открытая книга, для вас же тайна за семью печатями.
 Ваши термопары - это милливольты, транзисторы и диоды работают с напряжениями в тысячи вольт и токами в сотни ампер. Ключ на основе ваших термопар невозможен.
Элемент Пельтье - это пассивный элемент, как резистор
Давайте точнее:
Термопара висмут-железо при температуре 20 градусов по Цельсию, коэффициент Зеебека равен: +66,79 микровольт на градус.
Диод из сборки КДС627А при температуре 20 градусов по Цельсию, коэффициент Зеебека равен: -2,231 милливольт на градус.
А тысячи вольт, о которых Вы сказали - это Обратное напряжение для п/п диода при отсутствии обратного тока (или весьма малого обратного тока).
То есть в реалии - у термопар на основе металлов - микровольты,
а у полупроводниковых диодов - милливольты.
При этом надо учесть, что п/п диод имеет конструкцию не термо-пары, а конструкцию термо-тетрода. Вы же химик, и должны понимать технологию изготовления контактных выводов (омических контактов) диода.
Поэтому если говорить о различии - надо говорить правильно. И я в своей работе на различия указал. Но есть что-то общее. И это общее тянет на науку о термоэлектронике. И потому: дырок нет! Химия есть, и пусть будет, а дырок нет!

Оффлайн Arkadiy

  • Эксперт
  • *****
  • Сообщений: 9 593
  • Репутация: +37/-11
Давайте точнее:
Термопара висмут-железо при температуре 20 градусов по Цельсию, коэффициент Зеебека равен: +66,79 микровольт на градус.
Диод из сборки КДС627А при температуре 20 градусов по Цельсию, коэффициент Зеебека равен: -2,231 милливольт на градус.
А тысячи вольт, о которых Вы сказали - это Обратное напряжение для п/п диода при отсутствии обратного тока (или весьма малого обратного тока).
То есть в реалии - у термопар на основе металлов - микровольты,
а у полупроводниковых диодов - милливольты.
При этом надо учесть, что п/п диод имеет конструкцию не термо-пары, а конструкцию термо-тетрода. Вы же химик, и должны понимать технологию изготовления контактных выводов (омических контактов) диода.
Поэтому если говорить о различии - надо говорить правильно. И я в своей работе на различия указал. Но есть что-то общее. И это общее тянет на науку о термоэлектронике. И потому: дырок нет! Химия есть, и пусть будет, а дырок нет!
Никто не отрицает, что с помощью диода можно измерить температуру. В годы оные я сам собирал такой прибор для измерения температуры в аппарате, калибровал, но ртутный термометр оказался удобнее.  Но это НЕ ГЛАВНОЕ свойство диода, а лишь побочное, второстепенное. Главное его свойство - способность пропускать электрический ток только в ОДНУ сторону. На этом эффекте строится большинство схем, где используются диоды. Если вы в диодном мосте замените диоды на термопары, то получите КОРОТКОЕ ЗАМЫКАНИЕ и  в худшем случае отгорание пары ваших термопар.
Нельзя у термопары получить одностороннюю проводимость, если только включить ее последовательно с диодом

Онлайн radio.elektronik

  • Moderator
  • Эксперт
  • *****
  • Сообщений: 1 350
  • Репутация: +15/-2
  • Пол: Мужской
  • Пургаторий – это свалка роботов и идей.
Никто не отрицает, что с помощью диода можно измерить температуру. В годы оные я сам собирал такой прибор для измерения температуры в аппарате, калибровал, но ртутный термометр оказался удобнее.  Но это НЕ ГЛАВНОЕ свойство диода, а лишь побочное, второстепенное. Главное его свойство - способность пропускать электрический ток только в ОДНУ сторону. На этом эффекте строится большинство схем, где используются диоды. Если вы в диодном мосте замените диоды на термопары, то получите КОРОТКОЕ ЗАМЫКАНИЕ и  в худшем случае отгорание пары ваших термопар.
Нельзя у термопары получить одностороннюю проводимость, если только включить ее последовательно с диодом
Я согласен с Вашим утверждением. Термопары не обладают ОП (односторонней проводимостью). Этот факт - не предмет спора.
Предмет спора - это вопрос на каком принципе работает ОП полупроводникового диода? Я привожу доводы, что у термопар и у п/п диодов есть одинаковые свойства. А явление ОП - это модификация холодильного эффекта Пельтье. У п/п диодов этот эффект запрещён, и потому на ВАХ диода видно, как она из ВАХ термо-электрического устройства при подходе к оси ОХ переходит в экспоненту, при этом пересечение оси ОХ для ВАХ невозможно.
Если явление ОП - термо-электрическое, то возникает вопрос о ложности теории ЭДП (электронно-дырочной проводимости). Я собрал доказательства, что явление ОП - термо-электрическое.
Для этого пришлось измерить ВАХ термо-тетрода, и обнаружить вариант инвертированной температурной шкалы. Точно так-же (или почти точно так же) инвертирована температурная шкала (если продолжить линии ВАХ) у п/п диода.
Доказательств я представил достаточно, но они никак не могут пробиться в Вашу голову (или в мозг?). Почему-то Вы всё время сообщаете очевидные вещи, и ожидаете, что я буду возражать. Надо чётко сформулировать предмет спора: ЭДП или термо-электроника? Я настаиваю на том, что п/п диод - термоэлектрическое устройство (типа термо-тетрода или другой конструкции с большим числом элементов).