Автор Тема: Конец теории электронно-дырочной проводимости.  (Прочитано 461 раз)

0 Пользователей и 1 Гость просматривают эту тему.

Оффлайн Arkadiy

  • Эксперт
  • *****
  • Сообщений: 11 454
  • Репутация: +42/-15
Я согласен с Вашим утверждением. Термопары не обладают ОП (односторонней проводимостью). Этот факт - не предмет спора.
Предмет спора - это вопрос на каком принципе работает ОП полупроводникового диода? Я привожу доводы, что у термопар и у п/п диодов есть одинаковые свойства. А явление ОП - это модификация холодильного эффекта Пельтье. У п/п диодов этот эффект запрещён, и потому на ВАХ диода видно, как она из ВАХ термо-электрического устройства при подходе к оси ОХ переходит в экспоненту, при этом пересечение оси ОХ для ВАХ невозможно.
Если явление ОП - термо-электрическое, то возникает вопрос о ложности теории ЭДП (электронно-дырочной проводимости). Я собрал доказательства, что явление ОП - термо-электрическое.
Для этого пришлось измерить ВАХ термо-тетрода, и обнаружить вариант инвертированной температурной шкалы. Точно так-же (или почти точно так же) инвертирована температурная шкала (если продолжить линии ВАХ) у п/п диода.
Доказательств я представил достаточно, но они никак не могут пробиться в Вашу голову (или в мозг?). Почему-то Вы всё время сообщаете очевидные вещи, и ожидаете, что я буду возражать. Надо чётко сформулировать предмет спора: ЭДП или термо-электроника? Я настаиваю на том, что п/п диод - термоэлектрическое устройство (типа термо-тетрода или другой конструкции с большим числом элементов).
Свойства есть, это свойства материала, но главное свойство диода -односторонняя проводимость обеспечивается зонами с разным типом проводимости, один тип проводимости обеспечен кажущимся избытком электронов, другой кажущимся их недостатком. И то, и другое создает дефекты кристаллической решетки, по которым могут перемещаться электроны в полупроводнике, т.е усиливает делокализацию электронов , приближая материал полупроводника к металлу по электропроводности. Переключение полярности напряжения приводит к образованию запирающего слоя, так как электроны не могут уже преодолеть потенциальный барьер p-n перехода